受賞日： 2015年11月13日
氏名 職名/学年： 冨岡 克広 准教授*1 石坂 文哉 博士3年*1 本久 順一 教授*1
福井 孝志 名誉教授*2
所属： *1 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積電子デバイス研究室
*2 北海道大学
授与団体： SSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials)
賞名： 2016 SSDM Paper Award
受賞論文名，研究題目名または受賞理由：
｢Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction (急峻なサブスレッショルド係数をもつInGaAs/InPコアシェルナノワイヤ/Siヘテロ接合型トンネルFETの作製)｣
問い合わせ先： Tel 011-706-7176, E-mail tomioka[a]rciqe.hokudai.ac.jp